(MOS)HKTG120N04

产品类别:半导体
产品属性:新品(非首发)
应用领域:工业电子/工控、通信系统、消费电子、汽车电子/新能源汽车、电力与新能源、军工、家电

特性

VDS: 40V, ID: 120A

RDS(上):2.6Ω(max) @VGS = 10 v,,ID=50A

整机RDS(ON):3.5mΩ(max.)@VGS=4.5V, ID=50A

高密度电池设计,超低导通电阻

完全表征雪崩电压和电流

漏源极电压VDS:40v;

门源电压VGS:±20v;

连续漏极电流id:120a;

脉冲漏极电流IDM:360a;

功耗PD:110w;

从结到环境RθJA的热阻:20°C/W;

工作结和存储温度TJ,TSTG:-55~+150℃;

单脉冲雪崩能量EAS:70mJ;

用于焊接的铅温(1/8”从外壳10s) TL:260°C;

广东合科泰实业有限公司

Guangdong Hottech Industrial Co.,Ltd.

中国(含港澳台) | E3.3316

慕尼黑展览(上海)有限公司

上海市浦东新区世纪大道1788-1800号陆家嘴金控广场T1塔楼11层

邮编 200120

电话: +86 21 2020 5500
传真: +86 21 2020 5688
info@mm-sh.com