为了介绍国际IGBT/IPM的技术前沿，以及SiC/GaN的最新进展，阐述行业发展趋势，助推产业发展，集设计、开发与销售为一体的功率半导体全球领先供应商AOS万国半导体万国半导体将于6月23日在上海洲际酒店举办“AOS IGBT/IPM/GaN/SiC技术交流高峰论坛”，广邀产、资、学、研等各界专家、企业家深入研讨行业热点，全面分析需求环境。

作为定位于国际前沿技术深度交流的高端研讨会，本次“高峰论坛”组委会特别邀请了IGBT发明人B.Jayant Baliga教授发表专题演讲，演讲主题“IGBT器件起源与影响”与“宽禁带半导体功率器件”。B.Jayant Baliga教授是国际知名科学家，著有19本专著，并在550多本出版物上发表文章。获得了美国功率半导体器件领域的120多个专利。在2016年他作为IGBT的唯一发明人被选入国家发明家名人录。

中国半导体协会秘书长徐小田与万国半导体董事长兼CEO张复兴博士以及AOS全球销售VP薛兵将在开幕演讲中发表精彩致辞与行业前景预测。上海电源学会理事长汤天浩将就“电力电子在节能减排与新能源中的应用与前景展望”发表演讲。

除此之外，万国半导体的高管团队将就最新技术进展与现场嘉宾进行深入探讨：万国半导体器件技术副总载Madhur Bobde博士的演讲主题为“AOS IGBT/FRD发展与历程”；万国半导体产品线副总裁Brain Suh博士的演讲主题为“IGBT/SiC/IPM应用”；万国半导体Wide Bandgap产品资深总监David Sheridan的演讲主题为“AOS GaN/SiC技术发展历程”。

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