东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性
东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性
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