整机VDS=30V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS= 10v,ID=20A
超低导通电阻
漏源电压30v；
VGS栅源电压±20v；
ID@TC=25℃连续漏电流1 80a；
ID@TC=100℃连续漏电流t1 45a；
IDM脉冲漏极电流280a；
EAS单脉冲雪崩能量3 56mj；
雪崩电流40a；
PD@TC=25℃总功耗437w；
TSTG储存温度范围-55 ~ 150℃；
TJ工作结温范围-55 ~ 150℃；
(MOS)HKTQ80N03
整机VDS=30V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS= 10v,ID=20A
超低导通电阻
漏源电压30v；
VGS栅源电压±20v；
ID@TC=25℃连续漏电流1 80a；
ID@TC=100℃连续漏电流t1 45a；
IDM脉冲漏极电流280a；
EAS单脉冲雪崩能量3 56mj；
雪崩电流40a；
PD@TC=25℃总功耗437w；
TSTG储存温度范围-55 ~ 150℃；
TJ工作结温范围-55 ~ 150℃；
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