特性
VDS: 40V, ID: 120A
RDS(上):2.6Ω(max) @VGS = 10 v,,ID=50A
整机RDS(ON):3.5mΩ(max.)@VGS=4.5V, ID=50A
高密度电池设计,超低导通电阻
完全表征雪崩电压和电流
漏源极电压VDS:40v;
门源电压VGS:±20v;
连续漏极电流id:120a;
脉冲漏极电流IDM:360a;
功耗PD:110w;
从结到环境RθJA的热阻:20°C/W;
工作结和存储温度TJ,TSTG:-55~+150℃;
单脉冲雪崩能量EAS:70mJ;
用于焊接的铅温(1/8”从外壳10s) TL:260°C;