除了MOSFET、IGBT等传统功率器件,宽禁带半导体器件(例如碳化硅)由于低开关损耗、耐高温和高开关频率等性能亮点,使其成为实现新能源车最佳性能的理想选择。与传统解决方案相比,基于碳化硅(SiC)的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更紧凑。三菱电机在2013年推出第一代碳化硅功率模块,至2015年进入第二代产品,并且率先投产4英寸晶圆生产线。由于碳化硅需求量急速增长,三菱电机已经投资建造6英寸晶圆生产线,预计在2018年推出第三代碳化硅功率器件。2017年9月,三菱电机发布一款1200V高效SiC MOSFET,相比传统SiC MOSFET,三菱电机的新型SiC器件功耗再降低20%。
|